arm 外部存储

ARM外部存储是扩展其存储容量的重要方式,通过EMC等接口可连接SRAM、ROM等外部存储器件。

ARM外部存储

arm 外部存储

一、

在ARM架构的微控制器或处理器系统中,外部存储是一种重要的扩展方式,用于增加系统的存储容量,以满足更复杂的应用需求,ARM架构本身采用冯诺依曼架构,指令和数据共享同一存储器空间,无论是内部还是外部存储器,都通过相应的寻址方式进行访问。

二、常见外部存储设备类型

存储设备类型 特点 应用场景
SD卡 大容量、可擦写、便携性好,支持SPI和SDIO等多种通信接口。 常用于需要大量数据存储的场景,如数据记录仪、便携式电子设备等。
NAND Flash 存储容量大、价格相对较低,以页为单位进行数据传输,有特殊的读写操作命令。 适用于对成本敏感且需要较大存储容量的应用,如固态硬盘、U盘等。
NOR Flash 真正的并行地址和数据总线,可直接像ROM一样读取代码,支持XIP(Execute In Place)模式。 常用于代码存储,可直接启动操作系统或应用程序,如一些工业控制领域的固件存储。

三、ARM与外部存储的连接方式

SPI接口

工作原理:SPI是一种同步串行通信接口,由主设备(ARM处理器)发起通信,通过时钟线(SCK)、主输出从输入线(MOSI)、主输入从输出线(MISO)和片选线(CS)与外部存储设备(如SD卡、SPI Flash等)进行数据传输。

优点:简单易用,只需少量引脚即可实现通信,在多种ARM芯片上都有支持,且通信速度可根据需求调整。

缺点:相对并行接口,数据传输速度较慢。

SDIO接口

工作原理:专门用于连接SD卡的接口,遵循SD卡的通信协议,能够实现高速数据传输,ARM处理器通过SDIO接口与SD卡进行通信时,会自动处理SD卡的初始化、读写操作等底层协议。

优点:针对SD卡优化,传输速度快,可实现大容量数据的快速读写,广泛应用于消费类电子设备中。

缺点:并非所有ARM芯片都集成SDIO接口,可能需要外接SDIO控制器芯片。

arm 外部存储

并行接口(如EMC)

工作原理:在一些高端ARM处理器或微控制器中,配备了外部存储器控制器(EMC),可直接连接并行接口的外部存储设备,如NOR Flash、SRAM等,通过配置EMC的寄存器,设置存储设备的地址范围、读写时序等参数,实现对外部存储设备的访问。

优点:数据传输速度快,可充分发挥外部存储设备的带宽优势,适用于对性能要求较高的应用场景。

缺点:硬件连接相对复杂,需要较多的引脚,且对ARM芯片的资源要求较高。

四、外部存储的读写操作

初始化

对于SD卡,需要通过SPI或SDIO接口发送特定的命令序列进行初始化,包括卡识别、配置操作模式(如SPI模式或SD模式)、设置卡的时钟频率等。

NAND Flash在使用前需要进行初始化,一般包括设置相关的控制寄存器,如时序控制、缓存大小等,同时可能还需要进行坏块扫描和管理,以确保数据的可靠存储。

NOR Flash通常不需要复杂的初始化过程,但可能需要配置其读写时序和地址范围等参数。

读操作

以SD卡为例,在SPI模式下,ARM处理器先通过SPI接口发送读命令和地址信息,然后等待SD卡返回数据,在SDIO模式下,则通过SDIO控制器发送相应的读请求,SD卡将数据返回到指定的缓冲区。

NAND Flash的读操作通常是按页进行的,先发送读命令和页地址,然后等待芯片将数据传输到缓存中,再从缓存中读取数据到ARM处理器的内存中。

NOR Flash的读操作类似于读取ROM,可直接通过地址总线和数据总线读取指定地址的数据。

arm 外部存储

写操作

SD卡的写操作也是通过SPI或SDIO接口发送写命令、地址和数据,在写入数据之前,可能需要先进行擦除操作,以确保数据的可写性。

NAND Flash的写操作同样按页进行,先将数据写入缓存,然后再发送写命令和页地址,将缓存中的数据写入到芯片中,由于NAND Flash存在擦除次数限制,需要进行磨损均衡管理,以延长芯片的使用寿命。

NOR Flash的写操作相对复杂,一般需要先进行擦除操作,将指定区域擦除为全1状态,然后再写入数据,写入数据时也是按字节或字为单位进行。

五、相关问题与解答

1. 问题:ARM处理器如何判断外部存储设备是否准备好进行读写操作?

解答:对于SD卡,可通过检查其状态寄存器来判断是否准备好,在SPI模式下,发送特定的命令获取SD卡的状态,如果状态位显示空闲且无错误,则表示可以进行读写操作,对于NAND Flash,一般会通过检测其就绪/忙碌引脚(如RB引脚)的电平状态来判断,当该引脚为高电平时表示空闲,可进行读写操作;为低电平时表示忙碌,需等待,NOR Flash通常没有专门的就绪/忙碌引脚,但可通过查询其相关的状态寄存器或根据其读写时序要求,在发送读写命令后等待一定的时间,确保芯片已完成内部操作并准备好接收新的指令。

2. 问题:在ARM系统中使用外部存储设备时,如何提高数据传输的可靠性?

解答:要确保硬件连接的稳定性,包括良好的引脚接触、合适的信号电平匹配等,在软件层面,对于SD卡等存储设备,可使用校验机制,如CRC校验,在数据传输过程中对数据进行校验,接收端验证数据的完整性,若发现错误可要求重新传输,对于NAND Flash,由于其存在坏块,除了在初始化时进行坏块扫描和管理外,在写入数据时可同时写入冗余数据或校验码,以便在读取时进行数据纠错,合理设置读写时序和缓存机制也有助于提高数据传输的可靠性,避免因时序不匹配或缓存溢出等问题导致数据传输错误。

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